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검찰이 삼성전자에서 근무하다 중국 반도체회사인 창신메모리반도체(CXMT)로 이직하면서 디(D)램 공정 국가핵심기술을 빼돌린 혐의로 전직 삼성전자 임직원을 포함한 10명을 기소했다고 밝혔다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장 김윤용)는 23일 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 디램의 최신 공정기술 유출사건 수사 결과를 발표하며 “전직 삼성전자 상무 출신인 창신메모리반도체의 개발실장 양아무개 씨 등 핵심 개발인력 5명을 구속기소하고 파트별 개발책임자 등 5명을 불구속기소했다”고 밝혔다. 이들에게는 산업기술보호법 위반(국가핵심기술 국외 유출 등) 혐의가 적용됐다.

검찰은 중국 현지에서 이뤄진 개발 전 과정의 범행을 직접 수사로 확인했다고 밝혔다. 검찰은 수사 과정에서 삼성전자의 연구원이 창신메모리반도체로 이직하며 수백 단계의 공정정보를 베껴적어 유출한 사실, 이를 토대로 창신메모리반도체가 에스케이(SK)하이닉스의 핵심기술을 추가로 확보한 뒤 중국 최초 디램 양산에 성공한 사실 등을 확인했다.

서울 서초구 대검찰청의 모습. 연합뉴스

검찰은 지난 10월 양씨와 더불어 삼성전자 연구원 출신인 신아무개·권아무개씨 등 창신메모리반도체 핵심 개발인력 3명을 구속기소한 바 있다. 지난해 1월에는 삼성전자 부장 출신인 창신메모리반도체 1기 개발실장 김아무개씨를, 지난 5월에는 삼성전자 연구원 출신 전아무개씨를 핵심기술 부정취득 혐의로 구속기소하기도 했다. 이후 관련 공정 담당자들 5명 불구속기소해 총 10명을 재판에 넘긴 것이다.

이들은 삼성전자의 실제 디램 제품을 분해해 유출자료를 검증하고 이를 토대로 제조테스트를 진행해 디램을 개발했고, 2023년 18나노 디램 양산에 성공한 것으로 드러났다. 양씨 등은 창신메모리반도체로부터 4~6년간 각각 15억~30억원의 급여를 받은 것으로 조사됐다.

검찰은 “국내에서 발생한 유출 범행은 물론 중국 현지의 개발 범행 전모를 밝혀내, 현지에서 개발 행위를 진행한 개발실장과 개발팀장, 수석을 모두 구속했다”며 “국외에서 이뤄진 기술유출 범죄라도 반드시 상응하는 처벌이 이뤄진다는 메시지를 전파해 범죄 방지에 큰 역할을 할 것”이라고 강조했다.

한겨레

김지은 기자 [email protected]