SK하이닉스 협력업체 무진전자 임원들이 삼성전자와 SK하이닉스 반도체 제조기술을 중국 회사에 유출한 혐의로 대법원에서 징역 1년6개월을 확정받았다.
12일 대법원 1부(주심 대법관 신숙희)는 무진전자 부사장 A씨와 연구소장 B씨, 영업그룹장 C씨에게 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반 혐의로 징역 1년6개월을 선고한 2심을 확정했다. B씨와 C씨는 각각 벌금 5000만원도 선고받았다. 무진전자 법인에 대해선 벌금 10억원이 선고됐다.
이들은 2018년 8월부터 2020년 6월까지 SK하이닉스 협력업체로 일하면서 알게 된 반도체 관련 국가핵심기술 등을 중국 업체에 유출한 혐의 등으로 기소됐다. 유출된 기술에는 HKMG(High-K Metal Gate) 반도체 제조 기술이 포함된 것으로 알려졌다. HKMG는 D램의 속도를 높이면서 소비 전력을 줄이는 차세대 반도체 제조기술이다.
A씨는 삼성전자 자회사인 반도체 세정장비 업체 세메스 기술을 유출한 혐의도 받는다. A씨는 세메스의 전직 직원들을 통해 몰래 취득한 초임계(액체와 기체를 구분할 수 없는 상태) 세정장비 도면 등 반도체 첨단기술과 영업비밀을 활용해 중국 수출용 장비를 개발한 것으로 조사됐다.
1심은 A씨에게 징역 1년을 선고하고 B씨와 C씨에게 각각 징역 1년6개월에 집행유예 2년, 벌금 3000만원을 선고했다. 무진전자에겐 벌금 4억원을 선고했다. 2심은 1심이 무죄라고 판단한 일부 기술 유출 혐의를 유죄라고 뒤집으면서, 더 무거운 형을 선고했다.
대법원은 2심 판단이 맞다고 봤다.
서울 서초구 대법원./뉴스1
12일 대법원 1부(주심 대법관 신숙희)는 무진전자 부사장 A씨와 연구소장 B씨, 영업그룹장 C씨에게 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반 혐의로 징역 1년6개월을 선고한 2심을 확정했다. B씨와 C씨는 각각 벌금 5000만원도 선고받았다. 무진전자 법인에 대해선 벌금 10억원이 선고됐다.
이들은 2018년 8월부터 2020년 6월까지 SK하이닉스 협력업체로 일하면서 알게 된 반도체 관련 국가핵심기술 등을 중국 업체에 유출한 혐의 등으로 기소됐다. 유출된 기술에는 HKMG(High-K Metal Gate) 반도체 제조 기술이 포함된 것으로 알려졌다. HKMG는 D램의 속도를 높이면서 소비 전력을 줄이는 차세대 반도체 제조기술이다.
A씨는 삼성전자 자회사인 반도체 세정장비 업체 세메스 기술을 유출한 혐의도 받는다. A씨는 세메스의 전직 직원들을 통해 몰래 취득한 초임계(액체와 기체를 구분할 수 없는 상태) 세정장비 도면 등 반도체 첨단기술과 영업비밀을 활용해 중국 수출용 장비를 개발한 것으로 조사됐다.
1심은 A씨에게 징역 1년을 선고하고 B씨와 C씨에게 각각 징역 1년6개월에 집행유예 2년, 벌금 3000만원을 선고했다. 무진전자에겐 벌금 4억원을 선고했다. 2심은 1심이 무죄라고 판단한 일부 기술 유출 혐의를 유죄라고 뒤집으면서, 더 무거운 형을 선고했다.
대법원은 2심 판단이 맞다고 봤다.